原標題：中國再砸180億元研發內存：19nm工藝，良率不低於10%
【PConline 資訊】8GB內存單條價格已經殺向1000元了，買條內存要比買個4核處理器或者顯卡都要貴了，這在一年前都是想象不到的事。這一波內存漲價最大的受益方就是三星、SK Hynix以及美光了，他們三家壟斷了全球90%以上的DRAM內存芯片，剩下的則是幾家台係廠商瓜分，中國尚無一家廠商能染指內存芯片。紫光攜旗下長江存儲加入存儲芯片市場，在武漢投資240多億美元研發閃存及內存芯片，未來還會投資300多億美元在南京建廠。現在安徽合肥的公司也加入了內存芯片市場競爭，兆易創新宣布與合肥產業投資控股有限公司合作，斥資180億元研發19nm工藝芯片。
根據合肥產業投資控股有限公司發布的公告，將與北京兆易創新公司在合肥經濟技術開發區開展12英寸19nm工藝晶圓存儲器（包含DRAM芯片）研發，目標是2018年12月31日前研發成功，具體來說是產品良率（測試電性良好的晶片占整個晶圓的比 例）不低於10%。該合作由兆易創新與合肥產業投資控股公司以1：4的方式籌集資金，兆易創新公司負責大約36億元資金投入。
從他們公布的預期目標來看，10%的良率顯然隻是實驗性的，這個良率不可能是量產階段的，否則10%良率要陪個清光了。此外，研發階段的產能也不高，大約是每月2000-3000片晶圓，達不到量產標準，也不會對市場產生明顯影響。
總的來說，雙方的合作仍有相當大的不確定性，雙方公告中也提醒注意風險，因為研發成功也不代表良率能提升到量產水平，同時還要麵臨各種問題，即便成功了，距離上市銷量也要幾年時間，所以短時間內不要期望這次的合作能迅速改變當前內存缺貨、漲價的情況。
從技術上來看，他們的19nm工藝內存芯片還是挺先進的，三星雖然在2015年就量產了20nm工藝，去年量產了18nm工藝，不過19nm工藝並不落後，美光、SK Hynix公司今年才算完成20nm節點的升級轉換。
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